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ST第三代溝柵場截止(TFS)技術,讓性能更上一層樓

2019-04-30來源: EEWORLD關鍵字:ST  TFS

意法半導體的HB2 650V IGBT系列采用最新的第三代溝柵場截止(TFS)技術,可提高PFC轉換器、電焊機、不間斷電源(UPS)、太陽能逆變器等中高速應用設計的能效和性能。該系列還包括符合AEC-Q101 Rev. D標準的汽車級產品。

 

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新HB2系列屬于STPOWER?產品家族,更低(1.55V)的 VCEsat 飽和電壓確保導通性能極其出色;更低的柵極電荷使其能夠在低柵極電流條件下快速開關,提高動態開關性能;出色的熱性能有助于最大限度地提高可靠性和功率密度,同時新系列還是市場上極具競爭力的產品。

 

HB2系列IGBT提供三個內部二極管選項:全額定二極管、半額定二極管或防止意外反向偏置的保護二極管,從而為開發者提供更多的自由設計權,根據特定應用需求優化動態性能。

 

新650V器件的首款產品40A STGWA40HP65FB2現已上市,采用TO-247長引腳封裝。


關鍵字:ST  TFS

編輯:muyan 引用地址:http://www.bp0.com.cn/IoT/ic460343.html
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