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簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。

在電子工程世界為您找到如下關于“mosfet”的新聞

Power Integrations發布集成900 V初級mosfet離線式開關電源IC
深耕于高壓集成電路高能效電源轉換領域的知名公司Power Integrations公司發布一系列集成了900 V初級MOSFET的離線式開關電源IC。新發布的器件既包括適合高效率隔離反激式電源的IC,也包括適合簡單型非隔離降壓式變換器的IC。其應用范圍包括480 VAC三相工業電源以及專供電網不穩定地區、時常遭受雷擊的熱帶地區或者經常發生高能振蕩波和浪涌的地區的高品質...
類別:驅動 2019-05-07 標簽: Power Integrations
如何選擇mosfet——電機控制
本文主要討論特定終端應用需要考慮的具體注意事項,首先從終端應用中將用于驅動電機的FET著手。電機控制是30V-100V分立式MOSFET的一個龐大且快速增長的市場,特別是對于許多驅動直流電機的拓撲結構來說。在此,我們將專注于討論如何選擇正確的FET來驅動有刷、無刷和步進電機。盡管很少有硬性規定,且可能有無數種方法,但希望本文能讓您基于終端應用了解從何處著手。 要做...
類別:智能工業 2019-04-30 標簽: MOSFET 電機控制
ROHM開發出內置 SiC mosfet AC/DC轉換器IC
全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都),面向大功率通用逆變器、AC伺服、工業用空調、街燈等工業設備,開發出內置1700V耐壓SiC MOSFET*1)的AC/DC轉換器*2)IC“BM2SCQ12xT-LBZ”。  近年來,隨著節能意識的提高,在交流400V工業設備領域,相比現有的Si功率半導體,可支持更高電壓、更節能、更小型的SiC功率半導體...
類別:轉換器 2019-04-18 標簽: ROHM AC DC轉換器
圍繞汽車電子,芯片廠商之間的這場爭奪戰會越來越熱鬧
的緩解做出巨大貢獻。這就使得這個新型材料器件非常適合于在電源、汽車、鐵路、工業設備、家用消費電子設備等各個領域。尤其是今年來隨著電動車等產業的發展要求,市場對SiC的需求大增。據麥姆斯咨詢分析,2018年全球有超過20家的汽車業者,在OBC中使用SiC肖特基二極管(Schottky Diodes)或SiC MOSFET;未來SiC功率半導體在OBC市場中有望以CAGR 44...
類別:汽車電子 2019-04-03 標簽: ST SiC功率器件 肖特基二極管 MOSFET
被動元件價格暴跌,MLCC和mosfet首當其沖
零組件陷盤整,被動元件好景不復見!業界傳出,微軟因MLCC庫存水位過高、四處詢問代工廠有沒有需要?最近連漲價概念MOSFET也跟著頭大,近期不僅供需相當平衡,價格也是松動在即,讓已經跟英飛凌簽訂條件嚴苛的長期供貨合約的業者覺得傷腦筋。 業界預期,比起被動元件價格「躺平」,MOSFET價格狀況應該會好一點,只會從「站著」變成「坐著」而已。 業界傳出,去年...
類別:半導體生產 2019-04-01 標簽: MLCC MOSFET
ROHM全新600V耐壓超級結 mosfet“PrestoMOS”,讓設計更靈敏
半導體制造商ROHM(總部位于日本京都)推出600V耐壓超級結 MOSFET“PrestoMOS”系列產品,在保持極快反向恢復時間(trr※1))的同時,提高設計靈活度,非常適用于空調、冰箱等白色家電的電機驅動以及EV充電樁。近日,該系列產品群又新增了“R60xxJNx系列”共30種機型。  此次開發的新系列產品與以往產品同樣利用了ROHM獨有的壽命...
類別:分立器件 2019-03-19 標簽: ROHM MOSFET
安森美半導體推出碳化硅(SiC) mosfet,完善生態系統
SiC MOSFET支持高能效、小外形、強固和高性價比的高頻設計,用于汽車、可再生能源和數據中心電源系統  推動高能效創新的安森美半導體,推出了兩款新的碳化硅(SiC) MOSFET。工業級NTHL080N120SC1和符合AEC-Q101的汽車級NVHL080N120SC1把寬禁帶技術的使能、廣泛性能優勢帶到重要的高增長終端應用領域如汽車DC-DC...
類別:動力系統 2019-03-19 標簽: MOSFET 安森美
世紀金光SiC mosfet系列,滿足多種應用需求
;●新能源汽車    ●充電樁充電模組●光伏逆變器   ●工業電機   ●智能電網    ●航空航天 SiC MOSFET系列產品覆蓋額定電壓650-1200V,額定電流30-92A,可滿足多種應用需求。 產品特點...
類別:行業動態 2019-03-08 標簽: 世紀金光 新能源汽車
Vishay新款30 V和40 V汽車級p溝道mosfet—節省PCB空間,更可靠
汽車級器件導通電阻低至4.4 mW,采用業內超薄鷗翼引線結構5 mm x 6 mm緊湊型PowerPAK? SO-8L封裝 日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出新款30 V和40 V汽車級p溝道TrenchFET?功率MOSFET---SQJ407EP和SQJ409EP,采用鷗翼引線結構PowerPAK? SO-8L封裝,有效提升...
類別:半導體生產 2019-03-07 標簽: Vishay MOSFET
碳化硅mosfet的短路實驗性能與有限元分析法熱模型的開發
摘要:本文的目的是分析碳化硅MOSFET的短路實驗(SCT)表現。具體而言,該實驗的重點是在不同條件下進行專門的實驗室測量,并借助一個穩健的有限元法物理模型來證實和比較測量值,對短路行為的動態變化進行深度評估。 前言        就目前而言,碳化硅(SiC)材料具有極佳的的電學和熱學...

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MOSFET驅動AN799MOSFET 驅動器與 MOSFET 的匹配設計作者:Jamie Dunn Microchip Technology Inc. 2. 由于 MOSFET 驅動器吸收靜態電流而產生的功 耗。簡介當今多種 MOSFET 技術和硅片制程并存,而且技術進 步日新月異。要根據 MOSFET 的電壓 / 電流或管芯尺 寸, 對如何將 MOSFET...
類別:科學普及 2013年09月29日 標簽: MOSFET 驅動
MOSFET的基礎知識:2.功率MOSFET 的結構和工作原理:功率MOSFET的種類:按導電溝道可分為P 溝道和N 溝道。按柵極電壓幅值可分為;耗盡型;當柵極電壓為零時漏源極之間就存在導電溝道,增強型;對于N(P)溝道器件,柵極電壓大于(小于)零時才存在導電溝道,功率MOSFET 主要是N溝道增強型。2.1 功率MOSFET 的結構功率 MOSFET 的內部結構和電氣符號如圖1 所示;其導通時...
類別:電機 2013年09月20日 標簽: 功率MOSFET
MOSFET的工作原理MOSFET的工作原理MOSFET的原意是:MOS(Metal OxideSemiconductor金屬氧化物半導體),FET(Field EffectTransistor場效應晶體管),即以金屬層...
類別:電機 2013年09月29日 標簽: MOSFET 的工 作原
選擇正確的MOSFET:工程師所需要知道的選擇正確的MOSFET:工程師所需要知道的作者:飛兆半導體公司 Jonathan Harper 和Enrique Rodriguez隨著制造技術的發展和進步,系統設計人員必須跟上技術的發展步伐,才能為其設計挑選最合適的電子器件。MOSFET是電氣系統中的基本部件,工程師需要深入了解它的關鍵特性及指標才能做出正確選擇...
類別:科學普及 2013年09月29日 標簽: 選擇 正確 MOSFET 工程 師所 需要 知道
功率MOSFET的基本知識功率MOSFET的基本知識自 1976 年開發出功率 MOSFET 以來,由于半導體工藝技術的發展,它的性能不斷提高:如高壓功率 MOSFET 其工 作電壓可達 1000V;低導通電阻 MOSFET 其阻值僅 lOm;工作頻率范圍從直流到達數兆赫;保護措施越來越完善;并開 發出各種貼片式功率 MOSFET(如 Siliconix 最近...
類別:科學普及 2013年09月29日 標簽: 功率 MOSFET 的基 本知
功率場效 應晶體管MOSFET 功率場效應晶體管MOSFET 摘要:文中闡述了MOSFET的結構、工作原理、靜態、動態特性,并對動態特性的改進進行了論述,簡介了MOSFET的驅動電路及其發展動態。 關鍵詞:MOSFET 結構 特性 驅動電路 發展 Abstract:This paper elaborate MOSFET frame、work elements、static state...
類別:模擬及混合電路 2013年06月18日 標簽: MOSFET
能同時滿足高、低b值的晶體管工作要求的設計方案8.2.6驅動效率8.3貝克(baker)鉗位8.3.1baker鉗位的工作原理8.3.2使用變壓器耦合的baker鉗位電路8.3.3變壓器型baker鉗位[5]8.3.4達林頓管(darlington)內部的baker鉗位電路8.3.5比例基極驅動[2~4]8.3.6其他類型的基極驅動電路參考文獻第9章大功率場效應管(mosfet)及其驅動電路9.1...
類別:開關電源 2013年06月18日 標簽: 開關電源設計
MOSFET開關過程理解 本文先介紹了基于功率MOSFET的柵極電荷特性的開關過程;然后介紹了一種更直觀明析的理解功率MOSFET開關過程的方法:基于功率MOSFET的導通區特性的開關過程,并詳細闡述了其開關過程。開關過程中,功率MOSFET動態的經過是關斷區、恒流區和可變電阻區的過程。在跨越恒流區時,功率MOSFET漏極的電流和柵極電壓以跨導為正比例系列,線性增加。米勒平臺區對應著最大的負載...
類別:電機 2013年06月08日 標簽: MOSFET開關過程理解
P-MOSFET的開關實例在上電過程中,I/O供電電源經過MOSFET管連接到外部電源上,外部電源通過DC/DC模塊變換后作為內核電源。只有當內核電源的穩定狀態輸出引腳輸出低電平時,才會接通外部I/O電源,保證了內核先于I/O供電。  在掉電過程中,由于外部供電線路中某些容性器件的存在,外部電源電壓由正常值到0狀態會有一個過程。因此,當外部電源降低到DC/DC...
類別:科學普及 2013年09月29日 標簽: PMOSFET 的開 關實
0922MOSFETMOSFET驅動電路總結在使用MOS管設計開關電源或者馬達驅動電路的時候,大部分人都會考慮MOS的導通電阻,最大電壓等,最大電流等,也有很多人僅僅考慮這些因素。這樣的電路也許是可以工作的,但并不是優秀的,作為正式的產品設計也是不允許的。???下面是我對MOSFETMOSFET驅動電路基礎的一點總結,其中參考了一些資料,非全部原創。包括...
類別:科學普及 2013年09月29日 標簽: MOSFET及MOSFET驅動電路總結

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和轉換器針對LED照明應用, 一個初級側調節(PSR)無光耦和次級反饋電路的任何節省BOM成本。       *  它在準諧振(QR)模式下工作,MOSFET在漏極電壓的山谷中打開,從而最大限度地減少開關損耗,從而產生高效率。       *   基于反激式/降壓型拓撲結構,它支持...
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求推薦一款好使的升降壓芯片,輸入在6~24V(寬壓輸入),輸出一直能穩到12V,,之前網上看到有使用LTC3789,但這個芯片好像不是太好調,有沒有更好用的升降壓芯片啊 求推薦一款升降壓芯片 本帖最后由 qiushenghua 于 2019-5-23 13:54 編輯 升降壓芯片我們有很多 耐壓40V的SC8701, 耐壓30V的SC8703, 這兩款是最常規的,MOSFET外置...
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